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LED芯片的制造进程概述
发布时间: 2022-01-14 15:42:28 作者:环球体育官方app下载链接

  首先在衬低上制造氮化镓(GaN)基的晶圆,这个进程主要是在金属有机化学气相堆积晶圆炉(MOCVD)中完结的。准备好制造GaN基晶圆所需的资料源和各种高纯的气体之后,依照工艺的要求就可以逐渐把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等资料。

  MOCVD是运用气相反响物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底外表进行反响,将所需的产品堆积在衬底外表。经过操控温度、压力、反响物浓度和品种份额,然后操控镀膜成分、晶持平质量。MOCVD外延炉是制造LED外延片最常用的设备。

  然后是对LED PN结的两个电极进行加工,电极加工也是制造LED芯片的要害工序,包含清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片进行划片、测验和分选,就可以得到所需的LED芯片。假如芯片清洗不行洁净,蒸镀体系不正常,会导致蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有掉落,金属层外观变色,金泡等反常。

  蒸镀进程中有时需用绷簧夹固定芯片,因而会产生夹痕(在目检有必要挑除)。黄光作业内容包含烘烤、上光阻、照相曝光、显影等,若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。

  晶粒在前段制程中,各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都有必要运用镊子及花篮、载具等,因而会有晶粒电极刮伤景象产生。

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